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Über 2201 Produkte gefunden

Nur ein Hersteller in der Welt für Elektron-Gefäß Tb4/1250/5868

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

Dioden-Brückengleichrichter Gbu606

  • Zertifizierung: RoHS
  • Funktion: Macht Triode
  • Standard: TO-220
  • Warenzeichen: POWER
  • E-Solution Technology Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1036

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

HF-Leistung-Transistor C2630

  • Verpackung: Standard
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Vakuumelektron-Gefäß Fu3069f gleichwertig mit E3069 für HF-dielektrische Heizung, Induktions-Heizung

  • Zertifizierung: CE,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Elektron-Gefäß-Leistungs-Triode Fd921s für Oszillator in der Hochfrequenzheizung

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

2n3773 Transistor

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Provinz: Shanghai, China

Tas6424eqdkqrq1 Neue Original-Elektronik-Komponenten Lieferant Hssop-56 Tas6424eqdkqrq1

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Silizium
  • Verpackung: Air Transport
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Triode 3-500z

  • Zertifizierung: CE,ISO
  • Verpackung: Carton
  • Warenzeichen: HUAGUANG
  • Herkunft: China
  • HS-Code: 85408900
  • Produktionskapazität: 200PCS/Month
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provinz: Liaoning, China

Zweipoliger Transistor Sot-23---2SA1179 (PNP)

  • Verkapselungsstruktur: Chip-Transistor
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Leistung-Transistor Ra30h1317m Ra30h1317

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

7092 Vakuum Electron Glass Tube, Equivalent zu Tb5/2500 Glass Tube

  • Zertifizierung: CE,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Hihg Energien-Trioden-Elektron-Gefäß für Hochfrequenzheizung Fd-307s

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Lmh6643max/Nopb (Elektronische Komponenten IC Chips integrierte Schaltungen IC) Lmh6643max/Nopb

  • Zertifizierung: RoHS
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Bc108 Transistor

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Provinz: Shanghai, China

HF-Leistung-Transistor Mrf857s

  • Verpackung: Standard
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß-Leistungs-Triode für HochfrequenzFeating Fu3092ca

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

5868 Vakuumelektron-Glasgefäß, gleichwertig mit Glasgefäß Tb4/1250

  • Zertifizierung: CCC
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Fabrik Preis Komponenten Elektronik WSON-8 (2X2) TPS22965tdsgrq1

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Air Transport
  • Warenzeichen: TI
  • Herkunft: Philippines
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß des Vakuum3-500c, Glasgefäß 3-500/Z. Gefäß, das, Gefäß Pairable erhältlich zusammenpaßt

  • Zertifizierung: CE,CCC
  • Verkapselungsstruktur: Glas Sealed Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Leistung-Transistor E13005 E13005-1

  • Verpackung: N/a
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Hohe Leistung Keramisch-Metalltriode des Elektron-Gefäß-Fd-912s

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

INA168na/3K Integrated Circuit IC Chip Neue und ursprüngliche Unterstützung Bom

  • Zertifizierung: RoHS
  • Installation: SMD Triode
  • Arbeitsfrequenz: Niederfrequenz
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

Induktions-Heizungs-Trioden-Gefäß Fd-911SD HF-100kw, für 100kw Indcution Heizung/Schweißgerät, Fd-911s für Glasgefäß

  • Zertifizierung: CCC
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

Leistung-Transistor M57729L M57729

  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektron-Gefäß-hohe Leistung Keramisch-Metalltrioden-Industrie-Hochfrequenzheizungs-Anwendungen Fd-935s

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China

Tcan1043admtrq1 Neue und ursprüngliche Bom-Liste Ti integrierte Schaltungen in Texas Chip Instruments

  • Zertifizierung: RoHS
  • Leistungspegel: Kleinkraft
  • Funktion: Macht Triode
  • Struktur: PNP
  • Stoff: Silizium
  • Verpackung: Air Transport
  • Q-Yang Co., Limited
  • Provinz: Guangdong, China

7t85rb, Elektron-Gefäß Fu7085f des Vakuum5kw gleichwertig mit 7t85rb für HF-dielektrische Heizung

  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Mittlere Leistung
  • Funktion: Macht Triode
  • Verpackung: Cartons
  • Warenzeichen: EECTECH
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Provinz: Beijing, China

HF-Leistung-Transistor Blf246

  • Verpackung: Sot-121b
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Provinz: Guangdong, China

Elektronische Gefäß-Energien-Tetrode für Cw-Oszillator Fu3537c

  • Zertifizierung: ISO
  • Verkapselungsstruktur: Keramikgehäuse Transistor
  • Installation: Plug-in-Triode
  • Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
  • Leistungspegel: Hohe Energie
  • Funktion: Macht Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Provinz: Beijing, China
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