Gx18n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 500V18A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx15n65 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 650V 15A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx24n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-3p Teile 500V 24A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
2307psa hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -30V -2,7A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
2324nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 100V 2A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
0615esa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 70V 0,1A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx16n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 500V 16A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wga60r070d hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 600V47A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
3407psa hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -30V -4,1A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
7002knsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 60V 0,3A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx4n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 900V 4A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
2300nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 20V 4,5A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx7n80 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220 Teile
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgp60r280 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 600V15A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgd50r550 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 500V 7A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx7n60 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 600V 7A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgd60r450 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 600V 10A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx11n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To220f Teile 900V 11,4A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
3401psa-L hochwertiger P-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile -30V -4,1A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
3420nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 20V 6A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgd65r950 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 650V5a
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
7002nsa hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 60V 0,115A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx5n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente to-220 Teile 500V 4,5A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx15n60 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 600V 15A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx3n80 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To251 Teile 800V 3A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
02n60SA hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit niedriger Spannung Komponente SOT23 Teile 60V 2A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
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Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Gx20n50 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 500V 20A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Macht Triode,Schalttriode
- Struktur: NPN
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- Provinz: Jiangsu, China
Gx2n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente TO220 Teile 900V 2,2A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
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- Provinz: Jiangsu, China
Gx9n90 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit hoher Spannung Komponente To3p Teile 900V 8A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
Wgp65r500 hochwertiger N-Kanal-MOSFET-Transistor mit mittlerer Spannung Komponente To251 Teile 650V 10A
- Zertifizierung: RoHS,CE,ISO
- Verkapselungsstruktur: Kunststoff Sealed Transistor
- Arbeitsfrequenz: Hochfrequenz
- Leistungspegel: Hohe Energie
- Funktion: Schalttriode
- Struktur: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Provinz: Jiangsu, China
